Vishay P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 541-0553
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9120PBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.1.32 |
| 10 - 49 | CHF.1.26 |
| 50 - 99 | CHF.1.21 |
| 100 - 249 | CHF.1.15 |
| 250 + | CHF.1.11 |
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- 541-0553
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9120PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | HVMDIP | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 600 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 1,3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Breite | 6.29mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 5mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 3.37mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße HVMDIP | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 600 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 1,3 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Breite 6.29mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 5mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 3.37mm | ||
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
Die Vishay Leistungs-MOSFETs der dritten Generation bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schneller Schaltung, robustem Gerätedesign, geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das 4-polige DIP-Gehäuse ist ein kostengünstiges maschineneinsetzbares Gehäuse, das in mehreren Kombinationen auf Standard 0,1-Zoll-Stiftmitten gestapelt werden kann.
Dynamische dV-/dt-Bewertung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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