Vishay Einfach N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 1.3 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 178-0923
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLD120PBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 178-0923
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- IRLD120PBF
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 100 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 1.3 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 1.3 W | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Gehäusegröße | HVMDIP | |
| Höhe | 3.37 mm | |
| Länge | 5 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 270 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 10 V, -10 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 6.29 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 100 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 1.3 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 1.3 W | ||
Pinanzahl 4 | ||
Gehäusegröße HVMDIP | ||
Höhe 3.37 mm | ||
Länge 5 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 270 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 10 V, -10 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 6.29 mm | ||
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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