Teile-Nr.

Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP

RS Best.-Nr.:: 919-4494
Herst. Teile-Nr.:: IRFD014PBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 919-4494
Herst. Teile-Nr.:: IRFD014PBF
Marke:: Vishay

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	HVMDIP
	Serie	IRFD
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	200mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.6V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	11nC
	Maximale Verlustleistung Pd	1.3W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	5mm
	Höhe	3.37mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.29 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße HVMDIP
	Serie IRFD
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.6V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC
	Maximale Verlustleistung Pd 1.3W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 5mm
	Höhe 3.37mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.29 mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: PH

Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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