Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 541-1039
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD110PBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 541-1039
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD110PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IRFD | |
| Gehäusegröße | HVMDIP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 540mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 3.37mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IRFD | ||
Gehäusegröße HVMDIP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 540mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 3.37mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
MERKMALE
• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET
• Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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