Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 541-1039
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD110PBF
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.1.029
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.1.03 |
| 10 - 49 | CHF.0.83 |
| 50 - 99 | CHF.0.78 |
| 100 - 249 | CHF.0.71 |
| 250 + | CHF.0.68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 541-1039
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD110PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | HVMDIP | |
| Serie | IRFD | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 540mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.29 mm | |
| Höhe | 3.37mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße HVMDIP | ||
Serie IRFD | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 540mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.29 mm | ||
Höhe 3.37mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MERKMALE
• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET
• Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 1.3 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 600 mA 1 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRLD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 2.5 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRLD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD9014 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.1 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD9024 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.6 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP