Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 600 mA 1 W, 4-Pin HVMDIP

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RS Best.-Nr.:
178-0916
Herst. Teile-Nr.:
IRFD210PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

600mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

HVMDIP

Serie

IRFD

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Durchlassspannung Vf

2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.29 mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

3.37mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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