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    Vishay IRFD210PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 600 mA 1 W, 4-Pin HVMDIP

    RS Best.-Nr.:
    178-0916
    Herst. Teile-Nr.:
    IRFD210PBF
    Marke:
    Vishay
    Vishay

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    Rechtliche Anforderungen


    Produktdetails

    N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor



    MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.600 mA
    Drain-Source-Spannung max.200 V
    GehäusegrößeHVMDIP
    Montage-TypDurchsteckmontage
    Pinanzahl4
    Drain-Source-Widerstand max.1,5 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.1 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Länge5mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Breite6.29mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs8,2 nC @ 10 V
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Höhe3.37mm
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