Vishay IRFD9120 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 1 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 256-7285
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9120PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 256-7285
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9120PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IRFD9120 | |
| Gehäusegröße | HVMDIP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 0.29in | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 0.425 in | |
| Höhe | 0.33in | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IRFD9120 | ||
Gehäusegröße HVMDIP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 0.29in | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 0.425 in | ||
Höhe 0.33in | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das 4-polige DIP-Gehäuse ist ein preiswertes, maschinell einsetzbares Gehäuse, das in mehreren Kombinationen auf Standard-0,1-poligen Zentren gestapelt werden kann.
Dynamische dv/dt-Nennleistung
Wiederholbare Lawinenbeständigkeit
Für automatisches Einsetzen
Endstapelbar
P-Kanal
175 °C Betriebstemperatur
Schnelles Schalten
Verwandte Links
- Vishay IRFD9120 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 1 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD9014 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.1 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD9024 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.6 A 1.3 W, 4-Pin IRFD9024PBF HVMDIP
- Vishay IRFD9014 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.1 A 1.3 W, 4-Pin IRFD9014PBF HVMDIP
- Vishay IRFD9020 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 1.6 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD9020 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 1.6 A 1.3 W, 4-Pin IRFD9020PBF HVMDIP
- Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 1.3 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP