Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 50 V / 1.1 A 1 W, 3-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 256-7283
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9010PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 256-7283
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9010PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | HVMDIP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße HVMDIP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die P-Kanal-MOSFET-HVMDIPs von Vishay Semiconductor sind für den Einsatz in Leistungsstufen vorgesehen, in denen eine komplementäre Symmetrie mit N-Kanal-Geräten eine Vereinfachung des Stromkreises bietet. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HVMDIP-Designs erzielen einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand in Kombination mit hoher Transkonduktivität und extremer Robustheit des Geräts.
Für automatisches Einsetzen
Kompakt, am Ende stapelbar
Schnelles Schalten
Niedriger Antriebsstrom
Einfache Parallelmontage
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Verwandte Links
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 50 V / 1.1 A 1 W, 3-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD9014 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.1 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD9014 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.1 A 1.3 W, 4-Pin IRFD9014PBF HVMDIP
- Vishay P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 700 mA 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD9120 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 1 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD9120 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 1 A 1.3 W, 4-Pin IRFD9120PBF HVMDIP
- Vishay Einfach Typ P-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 200 V / -0.4 A 1 W, 4-Pin HVMDIP