Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 50 V / 1.1 A 1 W, 3-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 256-7282
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9010PBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 256-7282
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9010PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | HVMDIP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße HVMDIP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die P-Kanal-MOSFET-HVMDIPs von Vishay Semiconductor sind für den Einsatz in Leistungsstufen vorgesehen, in denen eine komplementäre Symmetrie mit N-Kanal-Geräten eine Vereinfachung des Stromkreises bietet. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HVMDIP-Designs erzielen einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand in Kombination mit hoher Transkonduktivität und extremer Robustheit des Geräts.
Für automatisches Einsetzen
Kompakt, am Ende stapelbar
Schnelles Schalten
Niedriger Antriebsstrom
Einfache Parallelmontage
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
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