Vishay IRFD9020 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 1.6 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 903-4706
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9020PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.15.44
Nur noch Restbestände
- Zusätzlich 10 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
- Die letzten 1’770 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.544 | CHF.15.47 |
| 100 - 240 | CHF.1.512 | CHF.15.16 |
| 250 - 490 | CHF.1.313 | CHF.13.15 |
| 500 - 990 | CHF.1.25 | CHF.12.53 |
| 1000 + | CHF.1.019 | CHF.10.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 903-4706
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9020PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | HVMDIP | |
| Serie | IRFD9020 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.28Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Durchlassspannung Vf | -6.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.29mm | |
| Höhe | 3.37mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße HVMDIP | ||
Serie IRFD9020 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.28Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Durchlassspannung Vf -6.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.29mm | ||
Höhe 3.37mm | ||
Breite 5 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRFD9020 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 1.6 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD9024 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.6 A 1.3 W, 4-Pin IRFD9024PBF HVMDIP
- Vishay IRFD9014 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.1 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD9014 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.1 A 1.3 W, 4-Pin IRFD9014PBF HVMDIP
- Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 1.3 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 1.3 A 1.3 W, 4-Pin IRFD120PBF HVMDIP
- Vishay IRFD9120 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 1 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD9120 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 1 A 1.3 W, 4-Pin IRFD9120PBF HVMDIP