Vishay IRFD9020 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 1.6 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 145-1912
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9020PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | CHF.1.145 | CHF.114.66 |
| 200 - 400 | CHF.1.124 | CHF.112.35 |
| 500 + | CHF.1.071 | CHF.106.68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-1912
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9020PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | IRFD9020 | |
| Gehäusegröße | HVMDIP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.28Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -6.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5 mm | |
| Höhe | 3.37mm | |
| Länge | 6.29mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie IRFD9020 | ||
Gehäusegröße HVMDIP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.28Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -6.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5 mm | ||
Höhe 3.37mm | ||
Länge 6.29mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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