Vishay Einfach Typ P-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 200 V / -0.4 A 1 W, 4-Pin HVMDIP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
180-8628
Herst. Teile-Nr.:
IRFD9210PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-0.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

HVMDIP

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.9nC

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC

Breite

5mm

Länge

10.79mm

Höhe

8.38mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der Vishay IRFD9210 ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von -200 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es verfügt über ein HVMDIP-Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 3 Ohm bei 10 VGS.

Dynamische dV-/dt-Bewertung

Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt

Für automatisches Einsetzen

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