Vishay Einfach Typ P-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 200 V / -0.4 A 1 W, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 180-8628
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9210PBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | CHF.0.84 | CHF.16.70 |
| 40 - 80 | CHF.0.819 | CHF.16.36 |
| 100 - 180 | CHF.0.714 | CHF.14.18 |
| 200 - 480 | CHF.0.672 | CHF.13.36 |
| 500 + | CHF.0.546 | CHF.11.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8628
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9210PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -0.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | HVMDIP | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Höhe | 8.38mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Länge | 10.79mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -0.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße HVMDIP | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Höhe 8.38mm | ||
Breite 5 mm | ||
Länge 10.79mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der Vishay IRFD9210 ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von -200 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es verfügt über ein HVMDIP-Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 3 Ohm bei 10 VGS.
Dynamische dV-/dt-Bewertung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Für automatisches Einsetzen
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