Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 MOSFET 50 V / 2.4 A 1 W, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 180-8673
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD020PBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.0.899 | CHF.4.50 |
| 50 - 245 | CHF.0.828 | CHF.4.13 |
| 250 - 495 | CHF.0.768 | CHF.3.82 |
| 500 - 1245 | CHF.0.717 | CHF.3.60 |
| 1250 + | CHF.0.677 | CHF.3.38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8673
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD020PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | HVMDIP | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.1Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 0.425 in | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Länge | 0.29in | |
| Höhe | 0.330in | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße HVMDIP | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 0.425 in | ||
Normen/Zulassungen RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Länge 0.29in | ||
Höhe 0.330in | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal HVMDIP-4-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 50 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 100 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 1 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Kompakt, am Ende stapelbar
• Einfache Parallelschaltung
• Ausgezeichnete Temperaturstabilität
• Schnelles Schalten
• für automatisches Einsetzen
• bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
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