Vishay Einfach N-Kanal 1, Oberfläche, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 4.3 A 25 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 180-8833
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR110PBF
- Marke:
- Vishay
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- 180-8833
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- IRLR110PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Montageart | Oberfläche, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.54Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Länge | 9.65mm | |
| Breite | 6.73mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Montageart Oberfläche, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.54Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Länge 9.65mm | ||
Breite 6.73mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-252-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 540 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 5 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 25 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• erhältlich in Band und Rolle
• Dynamische dV/dt-Bewertung
• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)
• Logikebenen-Gate-Ansteuerung
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• RDS (ein) bei VGS ist 4 V und 5 V
• Repetitive Lawinenausladung
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
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