DiodesZetex DMN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.5 A 520 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 182-6898
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN31D5L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF 153.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 30. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | CHF 0.051 | CHF 160.59 |
| 9000 - 12000 | CHF 0.051 | CHF 154.53 |
| 15000 + | CHF 0.051 | CHF 148.47 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-6898
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN31D5L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 520mW | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie DMN | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 520mW | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Motorsteuerung
Stromüberwachungsfunktionen
Hinterleuchtung.
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.5 A 520 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.8 A 720 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.2 A 800 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN63D8L N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 400 mA 520 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN53D0U Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 300 mA 520 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 380 mA 520 mW, 3-Pin SC-89
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.5 A 1.15 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.6 A 1.3 W, 4-Pin SOT-23