DiodesZetex DMN53D0U Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 300 mA 520 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 921-1114
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN53D0U-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*
CHF.5.10
Vorübergehend ausverkauft
- 7'100 Einheit(en) mit Versand ab 26. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | CHF.0.051 | CHF.4.95 |
| 500 - 900 | CHF.0.04 | CHF.4.55 |
| 1000 - 1900 | CHF.0.04 | CHF.4.44 |
| 2000 - 2900 | CHF.0.04 | CHF.4.34 |
| 3000 + | CHF.0.04 | CHF.4.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 921-1114
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN53D0U-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Serie | DMN53D0U | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 520mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Serie DMN53D0U | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 520mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN53D0U Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 300 mA 520 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.5 A 520 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex BSS123 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 170 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN5L06K Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 300 mA 540 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.4 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 75 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23