DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.8 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 182-6914
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2120U-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.189.00
Vorübergehend ausverkauft
- 3’000 Einheit(en) mit Versand ab 21. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | CHF.0.063 | CHF.173.25 |
| 9000 - 12000 | CHF.0.053 | CHF.166.95 |
| 15000 + | CHF.0.053 | CHF.163.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-6914
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2120U-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Akkuladung
Stromüberwachungsfunktionen
DC/DC-Wandler
Tragbare Netzteiladapter
Verwandte Links
- DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,8 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,8 A 1,08 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,8 A 1,8 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,9 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex IntelliFET N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 1,3 A 1,5 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
