DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.1 A 1.6 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 222-2850
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2037U-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.1.85
Vorübergehend ausverkauft
- 3’000 Einheit(en) mit Versand ab 04. Februar 2026
- Zusätzlich 3’000 Einheit(en) mit Versand ab 05. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 + | CHF.0.074 | CHF.1.87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2850
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2037U-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 28mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 28mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
ESD-geschütztes Gate
Verwandte Links
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.1 A 1.6 W, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.1 A 1.6 W, 6-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.3 A 1.2 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.5 A 1.2 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.8 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 5.2 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2 A 1.08 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.2 A 1.4 W, 3-Pin SOT-23