ROHM Einfach RUF025N02 N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.5 A 800 mW, 3-Pin SOT-323

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RS Best.-Nr.:
183-5146
Herst. Teile-Nr.:
RUF025N02TL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Transistor-Konfiguration

Einfach

Serie

RUF025N02

Kabelkanaltyp

N

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2.5 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

800 mW

Pinanzahl

3

Gehäusegröße

SOT-323

Durchlassspannung (Vf)

1.2 V

Höhe

820 μm

Länge

2.1 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

160 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

10 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Breite

1.8 mm

Ursprungsland:
JP
Power MOSFETs are MADE as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering Compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.

Low voltage(1.5V) drive type

Nch Small-signal MOSFET

Small Surface Mount Package

Pb Free

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