onsemi BSS138L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 184-4195
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138L
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.189.00
Auf Lager
- 3’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | CHF.0.063 | CHF.179.55 |
| 9000 - 42000 | CHF.0.053 | CHF.151.20 |
| 45000 - 96000 | CHF.0.042 | CHF.135.45 |
| 99000 + | CHF.0.042 | CHF.129.15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 184-4195
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138L
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | BSS138L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 225mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.01mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie BSS138L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 225mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.01mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Typische Anwendungen für den N-Kanal-MOSFET BSS138L sind DC/DC-Wandler, Energieverwaltung in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Computern, Druckern, PCMCIA-Karten, Mobiltelefonen und schnurlosen Telefonen.
Niedrige Schwellenspannung
SMD-Gehäuse SOT-23, Miniatur
Ideal für Niederspannungsanwendungen
Spart Plattenplatz
Anwendungen
DC/DC-Konverter
Stromüberwachungseinheit
Endprodukte
Computer
Drucker
PCMCIA-Karten
Mobiltelefone und schnurlose Telefone
Verwandte Links
- onsemi BSS138L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 225 mW, 3-Pin BSS138L SOT-23
- onsemi BSS138L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi BSS138L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 225 mW, 3-Pin BSS138LT3G SOT-23
- onsemi BSS138L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 225 mW, 3-Pin BSS138LT1G SOT-23
- onsemi BVSS13L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi BVSS13L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 225 mW, 3-Pin BVSS138LT1G SOT-23
- onsemi BVSS8L Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 130 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 170 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23