onsemi MMBF170L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 545-0321
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBF170LT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.1.58
Lieferengpass
- 960 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 23’600 Einheit(en) mit Versand ab 27. Januar 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.158 | CHF.1.57 |
| 100 - 240 | CHF.0.137 | CHF.1.34 |
| 250 - 490 | CHF.0.116 | CHF.1.18 |
| 500 - 990 | CHF.0.105 | CHF.1.02 |
| 1000 + | CHF.0.095 | CHF.0.94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 545-0321
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBF170LT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 500mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | MMBF170L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 160nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 225mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Höhe | 0.94mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 500mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie MMBF170L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 225mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.3 mm | ||
Höhe 0.94mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Verwandte Links
- onsemi MMBF170L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi MMBF170L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi MMBF170L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 300 mW, 3-Pin MMBF170 SOT-23
- onsemi BSS138L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi BVSS13L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi BVSS8L Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 130 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 170 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi NTR0202PL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 400 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23