onsemi Doppelt PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.9 A 1.5 W, 6-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 184-5019
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMA2002NZ
- Marke:
- onsemi
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- 184-5019
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMA2002NZ
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 268mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 268mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Dieses Gerät wurde speziell als Paketlösung für Dual-Switching-Anforderungen in Mobilgeräten und anderen ultraportablen Anwendungen entwickelt. Es verfügt über zwei unabhängige N-Kanal-MOSFETs mit geringem On-State-Widerstand für minimale Leitungsverluste. Der MicroFET 2x2 bietet aufgrund seiner physikalischen Größe eine außergewöhnliche thermische Leistung und eignet sich hervorragend für lineare Modusanwendungen.
2,9 A, 30 V
RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4,5 V
RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3,0 V.
RDS(ON) = 163 mΩ @ VGS = 2,5 V
Niedriges Profil - maximal 0,8 mm - im neuen Gehäuse MicroFET 2x2 mm
HBM ESD-Schutzstufe = 1,8 kV (Hinweis 3)
Frei von halogenierten Verbindungen und Antimonoxiden
Anwendungen
Dieses Produkt ist allgemein verwendbar und für viele verschiedene Anwendungen geeignet
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