onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 54 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 864-8212
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC8360L
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.279 | CHF.11.41 |
| 50 - 95 | CHF.1.964 | CHF.9.84 |
| 100 - 495 | CHF.1.701 | CHF.8.53 |
| 500 - 995 | CHF.1.502 | CHF.7.50 |
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- 864-8212
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC8360L
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 57nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 54W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 57nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 54W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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