onsemi Einfach PowerTrench N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 16 A 54 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 864-8221
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86260
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 864-8221
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86260
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 69mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 54W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 750μm | |
| Breite | 3.3mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 69mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 54W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 750μm | ||
Breite 3.3mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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