onsemi Einfach PowerTrench N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 16 A 54 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 166-2094
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86260
- Marke:
- onsemi
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- FDMC86260
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 69mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 54W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.3mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 69mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 54W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.3mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
><
Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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