onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 54 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 166-2093
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC8360L
- Marke:
- onsemi
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- 166-2093
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC8360L
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 54W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 57nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 54W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 57nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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