onsemi FDWS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 214 W, 8-Pin DFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
185-7988
Herst. Teile-Nr.:
FDWS86068-F085
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

FDWS

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.3 mm

Länge

5.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.05mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Nicht-konform

Ursprungsland:
PH
N-Kanal PowerTrench® MOSFET 100 V, 80 A, 4,5 mΩ

Typischer RDS(on) = 5,2 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 80 A

Typische Qg(tot) = 31 nC bei VGS = 10 V, ID = 80 A

UIS-Funktionen

Diese Geräte sind bleifrei

Benetzbare Flansche für automatische optische Inspektion (AOI)

Anwendungen

Automobil-Motorsteuergeräte

Antriebsstrang-Management

Magnet- und Motortreiber

Elektronische Lenkung

Verwandte Links