onsemi FDWS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 214 W, 8-Pin FDWS86068-F085 DFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Packung mit 4 Stück)*

CHF.5.124

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 2’984 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
4 +CHF.1.281CHF.5.12

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
185-9082
Herst. Teile-Nr.:
FDWS86068-F085
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

DFN

Serie

FDWS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.1mm

Höhe

1.05mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.3 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Nicht-konform

Ursprungsland:
PH
N-Kanal PowerTrench® MOSFET 100 V, 80 A, 4,5 mΩ

Typischer RDS(on) = 5,2 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 80 A

Typische Qg(tot) = 31 nC bei VGS = 10 V, ID = 80 A

UIS-Funktionen

Diese Geräte sind bleifrei

Benetzbare Flansche für automatische optische Inspektion (AOI)

Anwendungen

Automobil-Motorsteuergeräte

Antriebsstrang-Management

Magnet- und Motortreiber

Elektronische Lenkung

Verwandte Links