onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
186-1281
Herst. Teile-Nr.:
NVB082N65S3F
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

82mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

81nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

313W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

9.65 mm

Höhe

4.58mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Nicht-konform

SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochleistungs-SJ-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die eine Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher eignet sich der SuperFET III MOSFET sehr gut für das verschiedene Stromversorgungssystem zur Miniaturisierung und höheren Effizienz. SuperFET III FRFET® MOSFET's optimierte Reverse Recovery Performance der Karosseriediode kann zusätzliche Komponente entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.

700 V bei TJ = 150 °C

Typ. RDS(on) = 64 m

Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 81 nC)

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 722 pF)

Diese Geräte sind bleifrei

Typische Anwendungen:

Fahrzeugeigenes Ladegerät

DC/DC-Wandler für HEV

Verwandte Links