onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
186-1281
Herst. Teile-Nr.:
NVB082N65S3F
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

82mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

81nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

313W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

9.65 mm

Höhe

4.58mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Nicht-konform

SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochleistungs-SJ-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die eine Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher eignet sich der SuperFET III MOSFET sehr gut für das verschiedene Stromversorgungssystem zur Miniaturisierung und höheren Effizienz. SuperFET III FRFET® MOSFET's optimierte Reverse Recovery Performance der Karosseriediode kann zusätzliche Komponente entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.

700 V bei TJ = 150 °C

Typ. RDS(on) = 64 m

Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 81 nC)

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 722 pF)

Diese Geräte sind bleifrei

Typische Anwendungen:

Fahrzeugeigenes Ladegerät

DC/DC-Wandler für HEV

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