onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 186-1281
- Herst. Teile-Nr.:
- NVB082N65S3F
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
CHF.2’864.80
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | CHF.3.581 | CHF.2’864.40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 186-1281
- Herst. Teile-Nr.:
- NVB082N65S3F
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 82mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 313W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 81nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Höhe | 4.58mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 82mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 313W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 81nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 9.65 mm | ||
Höhe 4.58mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Nicht-konform
SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochleistungs-SJ-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die eine Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher eignet sich der SuperFET III MOSFET sehr gut für das verschiedene Stromversorgungssystem zur Miniaturisierung und höheren Effizienz. SuperFET III FRFET® MOSFET's optimierte Reverse Recovery Performance der Karosseriediode kann zusätzliche Komponente entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.
700 V bei TJ = 150 °C
Typ. RDS(on) = 64 m
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 81 nC)
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 722 pF)
Diese Geräte sind bleifrei
Typische Anwendungen:
Fahrzeugeigenes Ladegerät
DC/DC-Wandler für HEV
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