onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 240 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 186-1271
- Herst. Teile-Nr.:
- NTB110N65S3HF
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
CHF.2’780.80
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | CHF.3.476 | CHF.2’782.08 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 186-1271
- Herst. Teile-Nr.:
- NTB110N65S3HF
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 62nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Höhe | 4.58mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 62nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 9.65 mm | ||
Höhe 4.58mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Nicht-konform
SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Gehäusediode des SuperFET III FRFET MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.
700 V bei TJ = 150 °C
Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 62 nC)
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 522 pF)
Ausgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)
Optimierte Kapazität
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Geringere Schaltverluste
Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Anwendungen
Telekommunikation
Cloud-System
Industriell
Endprodukte
Stromversorgung Telekommunikation
Stromversorgung Server
EV-Ladegerät
Solar/UPS
Verwandte Links
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 240 W, 3-Pin NTB110N65S3HF TO-263
- onsemi NTB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 263 W, 7-Pin NTBG023N065M3S TO-263
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 36 A 272 W, 3-Pin TO-263
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin TO-263
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 162 W, 3-Pin TO-263
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 192 W, 3-Pin TO-263
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 36 A 272 W, 3-Pin NTB095N65S3HF TO-263
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin NVB082N65S3F TO-263
