onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 36 A 272 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 189-0252
Herst. Teile-Nr.:: NTB095N65S3HF
Marke:: onsemi

onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 36 A 272 W, 3-Pin TO-263

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Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	36A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	95mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	272W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	66nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	10.67mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	9.65 mm
	Höhe	4.58mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 272W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 66nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 10.67mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 9.65 mm
	Höhe 4.58mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet NTB095N65S3HF

SuperFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Gehäusediode des SuperFET III FRFET MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.

700 V bei TJ = 150 °C

Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 66 nC)

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 569 pF)

Ausgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)

Optimierte Kapazität

Typ. RDS(on) = 80 mΩ Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedrigen Temperaturen

Geringere Schaltverluste

Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Anwendungen

Telekommunikation

Cloud-System

Industriell

Endprodukte

Stromversorgung Telekommunikation

Stromversorgung Server

EV-Ladegerät

Solar/UPS

onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 36 A 272 W, 3-Pin TO-263

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