onsemi NTMT090N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 36 A 272 W, 4-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
221-6734
Herst. Teile-Nr.:
NTMT090N65S3HF
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

NTMT090N

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

272W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.1 mm

Länge

8.1mm

Höhe

8.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Extrem niedrige Gate-Ladung

Niedrige effektive Ausgangskapazität 569 pF

100%ig auf Stoßentladung geprüft

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