onsemi FCMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 10 A 83 W, 4-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 195-2503
- Herst. Teile-Nr.:
- FCMT360N65S3
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.2.838 | CHF.56.72 |
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| 500 + | CHF.2.121 | CHF.42.42 |
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- RS Best.-Nr.:
- 195-2503
- Herst. Teile-Nr.:
- FCMT360N65S3
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | FCMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 8mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie FCMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 8mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung, eine dv/dt-Rate und eine höhere Lawinenenergie zu bieten. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr gut für Schaltleistungsanwendungen wie Server-/Telekommunikations-Leistungs-, Adapter- und Solarwechselrichteranwendungen geeignet. Das Power88-Gehäuse ist ein ultraflaches SMD-Gehäuse (1 mm hoch) mit niedriger Bauhöhe und geringer Abmessung (8 * 8 mm2). SuperFET III MOSFET in einem Power88-Gehäuse bietet eine ausgezeichnete Schaltleistung durch geringere parasitäre Quelleninduktivität und getrennte Leistungs- und Antriebsquellen.
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