onsemi NTMT110N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 240 W, 4-Pin PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
221-6735
Herst. Teile-Nr.:
NTMT110N65S3HF
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

NTMT110N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

62nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.1 mm

Höhe

8.1mm

Länge

8.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Extrem niedrige Gate-Ladung

Niedrige effektive Ausgangskapazität: 522 pF

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Verwandte Links