onsemi FCMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 10 A 83 W, 4-Pin PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
195-2502
Herst. Teile-Nr.:
FCMT360N65S3
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

FCMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

360mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.05mm

Länge

8mm

Breite

8 mm

Automobilstandard

Nein

SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung, eine dv/dt-Rate und eine höhere Lawinenenergie zu bieten. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr gut für Schaltleistungsanwendungen wie Server-/Telekommunikations-Leistungs-, Adapter- und Solarwechselrichteranwendungen geeignet. Das Power88-Gehäuse ist ein ultraflaches SMD-Gehäuse (1 mm hoch) mit niedriger Bauhöhe und geringer Abmessung (8 * 8 mm2). SuperFET III MOSFET in einem Power88-Gehäuse bietet eine ausgezeichnete Schaltleistung durch geringere parasitäre Quelleninduktivität und getrennte Leistungs- und Antriebsquellen.

Verwandte Links