onsemi NTTF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 150 A 83 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 202-5724
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS2D1N04HLTWG
- Marke:
- onsemi
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- NTTFS2D1N04HLTWG
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | NTTF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 340mm | |
| Breite | 0.8 mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie NTTF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 340mm | ||
Breite 0.8 mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor Single N-Kanal-MOSFET läuft auf 40 Volt und 150 Ampere. Er kann auf DC/DC-Abwärtswandlern, Point-of-Load, Lastschalter mit hohem Wirkungsgrad und Low-Side-Schaltung, ORing FET verwendet werden.
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-konform
Betriebstemperaturbereich: -55 bis +150 °C.
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