onsemi FCB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 98 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 172-3419
Herst. Teile-Nr.:: FCB199N65S3
Marke:: onsemi

onsemi FCB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 98 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

CHF.1’596.00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 13. Mai 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
800 +	CHF.1.995	CHF.1’598.52

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 172-3419
Herst. Teile-Nr.:: FCB199N65S3
Marke:: onsemi

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	14A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	FCB
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	199mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	30nC
	Maximale Verlustleistung Pd	98W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	9.65 mm
	Länge	10.67mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	4.83mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie FCB
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 199mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC
	Maximale Verlustleistung Pd 98W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 9.65 mm
	Länge 10.67mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 4.83mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.

700 V bei TJ = 150 °C

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 30 nC)

Geringere Schaltverluste

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 277 pF)

Geringere Schaltverluste

Optimierte Kapazität

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Interner Gate-Widerstand: 7,0 Ohm

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Typ. RDS(on) = 170 mΩ

onsemi FCB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 98 W, 3-Pin TO-263

Verwandte Links