onsemi NVMTS0D6N04C N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 533 A 245 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 186-1425
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMTS0D6N04CTXG
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 6.242 | CHF 31.21 |
| 50 - 95 | CHF 5.383 | CHF 26.91 |
| 100 + | CHF 4.666 | CHF 23.32 |
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- RS Best.-Nr.:
- 186-1425
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMTS0D6N04CTXG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 533A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NVMTS0D6N04C | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 480μΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 187nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 245W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 8mm | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 533A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NVMTS0D6N04C | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 480μΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 187nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 245W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 8mm | ||
Höhe 1.15mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Nicht-konform
MOSFET für die Automobilindustrie in einem flachen 8 x 8 mm-Kabelpaket, das für kompakte und effiziente Designs einschließlich hoher thermischer Leistung entwickelt wurde. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Geringer Platzbedarf (8 x 8 mm)
Niedriger RDS (EIN)
Niedrige QG und Kapazität
Option mit benetzbaren Flanken
PPAP-fähig
Kompaktes Design
Minimiert Leitungsverluste
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Prüfung
Anwendungen
Batterieverpolungsschutz
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
Endprodukte
Motorsteuerung - EPS, Wischer, Lüfter, Sitze usw.
Lastschalter - ECU, Chassis, Karosserie
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