onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 477 A 294.6 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 185-9234
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMTS0D7N06CLTXG
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.21.294
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.10.647 | CHF.21.31 |
| 20 - 198 | CHF.9.188 | CHF.18.38 |
| 200 + | CHF.7.959 | CHF.15.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 185-9234
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMTS0D7N06CLTXG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 477A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 900μΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 225nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 294.6W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Breite | 8 mm | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 477A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 900μΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 225nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 294.6W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Breite 8 mm | ||
Höhe 1.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Nicht-konform
- Ursprungsland:
- PH
MOSFET für die Automobilindustrie in einem flachen 8 x 8 mm-Kabelpaket, das für kompakte und effiziente Designs einschließlich hoher thermischer Leistung entwickelt wurde. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Geringer Platzbedarf (8 x 8 mm)
Niedriger RDS (EIN)
Niedrige QG und Kapazität
Option mit benetzbaren Flanken
PPAP-fähig
Kompaktes Design
Minimiert Leitungsverluste
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Prüfung
Anwendungen
Batterieverpolungsschutz
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
Endprodukte
Motorsteuerung - EPS, Wischer, Lüfter, Sitze usw.
Lastschalter - ECU, Chassis, Karosserie
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