onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 71 A 61 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 900-8814
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS5C670NLT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.5.05
Vorübergehend ausverkauft
- 170 Einheit(en) mit Versand ab 24. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.505 | CHF.5.01 |
| 100 - 240 | CHF.0.434 | CHF.4.31 |
| 250 - 490 | CHF.0.374 | CHF.3.75 |
| 500 - 990 | CHF.0.323 | CHF.3.28 |
| 1000 + | CHF.0.303 | CHF.2.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 900-8814
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS5C670NLT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 71A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NTMFS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 61W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 71A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NTMFS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 61W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Verwandte Links
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 71 A 61 W, 5-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 71 A 61 W, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS5C670NL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 71 A 61 W, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 61 A 78.1 W, 8-Pin DFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 37 A 28 W, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 78 A 50 W, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 A 110 W, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 365 A 139 W, 8-Pin DFN