onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 365 A 139 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 202-5709
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS0D8N02P1ET1G
- Marke:
- onsemi
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- 202-5709
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- NTMFS0D8N02P1ET1G
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 365A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | NTMFS | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.68mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Länge | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 365A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie NTMFS | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.68mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.3mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Länge 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor Power Single N-Kanal Leistungs-MOSFET läuft mit 365 Ampere und 25 Volt. Er kann in Lastschaltungsschaltern, Notebook-Batteriemanagement, DC/DC-Wandler verwendet werden.
Niedriger Ablass zur Quelle im Widerstand
Geringer Platzbedarf
Niedrige Kapazität
Bleifrei
RoHS-konform
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