onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 44 A 43 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 186-1534
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS5H610NLT1G
- Marke:
- onsemi
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- 186-1534
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS5H610NLT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NTMFS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NTMFS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1 mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Nicht-konform
Leistungs-MOSFET 60 V 47 A 10 mOhm 1-N-Kanal SO-8FL Logikpegel
Niedriger RDS (EIN)
Marketing führend FOM
Minimieren Sie Leitungsverluste
Verbesserung der Switching-Leistung
AnwendungenPoint of Load Modules
Hochleistungs-DC/DC-Wandler
Sekundäre Syn. Gleichrichtung
Endprodukte
Netcom, Telekommunikation
Server
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Handgeführte Elektrowerkzeuge
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