onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 65 A 446 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 186-1516
- Herst. Teile-Nr.:
- NVHL040N65S3F
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 186-1516
- Herst. Teile-Nr.:
- NVHL040N65S3F
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 446W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 153nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Breite | 4.82 mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 446W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 153nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.82mm | ||
Breite 4.82 mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Nicht-konform
SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. SuperFET III MOSFET eignet sich daher sehr gut für die verschiedenen Stromversorgungssysteme zur Miniaturisierung und höheren Effizienz. SuperFET III FRFET MOSFET's optimierte Reverse Recovery Performance der Karosseriediode kann zusätzliche Komponente entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern
700 V bei TJ = 150 °C
Extrem niedrige Gatterladung (Typ. QG = 158 nC)
Geringe effektive Ausgangskapazität (Typ. COSS(eff.) = 1366 pF)
PPAP-fähig
Typ. RDS(ein) = 32 mΩ
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Geringere Schaltverluste
PPAP-fähig
Anwendungen
HV DC/DC Wandler
Endprodukte
Integriertes Ladegerät
DC/DC-Wandler
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