Vishay SiS862ADN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 52 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.819.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.0.273CHF.806.40

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-4889
Herst. Teile-Nr.:
SIS862ADN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiS862ADN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.8nC

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.15mm

Höhe

1.07mm

Breite

3.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, 60 V (D-S)

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

Verwandte Links