Vishay SiSS61DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 111.9 A 65.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 188-4905
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS61DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.1’260.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 10. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.42 | CHF.1’253.70 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-4905
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS61DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 111.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiSS61DN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 154nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65.8W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.3mm | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Höhe | 0.78mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 111.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie SiSS61DN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 154nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65.8W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.3mm | ||
Breite 3.3 mm | ||
Höhe 0.78mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal 20 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen III P-Kanal-Leistungs-MOSFET
Führend RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
Verwandte Links
- Vishay SiSS61DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 111.9 A 65.8 W, 8-Pin SiSS61DN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay SiSS73DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 16.2 A 65.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS73DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 16.2 A 65.8 W, 8-Pin SISS73DN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen III Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 127.5 A 65.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS60DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 181.8 A 65.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS92DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 12.3 A 65.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS92DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 12.3 A 65.8 W, 8-Pin SiSS92DN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay SiSS60DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 181.8 A 65.8 W, 8-Pin SISS60DN-T1-GE3 PowerPAK 1212