Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 60 A 69.4 W,
- RS Best.-Nr.:
- 188-4999
- Herst. Teile-Nr.:
- SISF02DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.9.595
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.919 | CHF.9.58 |
| 50 - 120 | CHF.1.636 | CHF.8.16 |
| 125 - 245 | CHF.1.333 | CHF.6.69 |
| 250 - 495 | CHF.1.111 | CHF.5.58 |
| 500 + | CHF.0.889 | CHF.4.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-4999
- Herst. Teile-Nr.:
- SISF02DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69.4W | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Gemeinsamer Drain | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69.4W | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Gemeinsamer Drain | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit gemeinsamem Ablass, 25 V (S1-S2).
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger Einschaltwiderstand von Quelle zu Quelle
Integrierte n-Kanal-MOSFETs mit gemeinsamer Stromaufnahme in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
Verwandte Links
- Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 60 A 69.4 W,
- Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 52 A 69.4 W,
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 11 A 65.7 W, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 18.3 A 4.8 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 108 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 92.5 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 12 V / 85 A 69.4 W, 8-Pin PowerPAK 1212