STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 188-8284
- Herst. Teile-Nr.:
- STB80NF55-06T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
CHF.1'343.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 21. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | CHF.1.343 | CHF.1'345.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-8284
- Herst. Teile-Nr.:
- STB80NF55-06T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 142nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 4.37mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 142nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 4.37mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
Anwendungsorientierte Charakterisierung
Anwendungen
Schaltanwendung
Anwendungen
Schaltanwendung
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 100 A 300 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 210 A 300 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 55 A 95 W, 3-Pin TO-263