STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 188-8527
- Herst. Teile-Nr.:
- STB80NF55-06T4
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.3.636 | CHF.18.18 |
| 25 - 45 | CHF.3.414 | CHF.17.08 |
| 50 - 120 | CHF.3.232 | CHF.16.17 |
| 125 - 245 | CHF.3.05 | CHF.15.27 |
| 250 + | CHF.2.909 | CHF.14.56 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-8527
- Herst. Teile-Nr.:
- STB80NF55-06T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 142nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.37mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 142nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.37mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
Anwendungsorientierte Charakterisierung
Anwendungen
Schaltanwendung
Anwendungen
Schaltanwendung
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