STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 188-8527
- Herst. Teile-Nr.:
- STB80NF55-06T4
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 3.373 | CHF 16.85 |
| 50 - 120 | CHF 2.909 | CHF 14.54 |
| 125 + | CHF 2.343 | CHF 11.70 |
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- RS Best.-Nr.:
- 188-8527
- Herst. Teile-Nr.:
- STB80NF55-06T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 142nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 4.37mm | |
| Breite | 9.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 142nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 4.37mm | ||
Breite 9.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
Anwendungsorientierte Charakterisierung
Anwendungen
Schaltanwendung
Anwendungen
Schaltanwendung
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