STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 10 A 110 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 188-8285
- Herst. Teile-Nr.:
- STD11N60DM2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 188-8285
- Herst. Teile-Nr.:
- STD11N60DM2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 420mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.17mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 420mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.17mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Spannung ist Teil der Serie MDmesh TM DM2 mit schneller Erholung. Es bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr) und -zeit (trr) in Kombination mit niedrigem RDS(on), wodurch es für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet ist und ideal für Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler ist.
Gehäusediode mit schneller Erholung
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Anwendungen
Schaltanwendungen
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