STMicroelectronics, Oberfläche MOSFET 1.6 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 188-8506
- Herst. Teile-Nr.:
- STN790A
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.12.875
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.515 | CHF.12.98 |
| 125 - 225 | CHF.0.495 | CHF.12.34 |
| 250 - 600 | CHF.0.444 | CHF.11.09 |
| 625 - 1225 | CHF.0.404 | CHF.10.00 |
| 1250 + | CHF.0.384 | CHF.9.49 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-8506
- Herst. Teile-Nr.:
- STN790A
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Gerät wird in der Niederspannungs-PNP-Planartechnologie mit einem "Basisinsel"-Layout hergestellt. Der resultierende Transistor zeigt eine außergewöhnliche hohe Verstärkungsleistung in Verbindung mit einer sehr niedrigen Sättigungsspannung.
Sehr niedrige Kollektor-zu-Emitter-Sättigungsspannung
3 A kontinuierlicher Kollektorstrom
DC-Stromverstärkung, hFE> 100
SOT-223-Kunststoffgehäuse für SMD-Schaltkreise in Band- und Rollenverpackung
40 V Durchschlagsspannung V(BR)CER
Anwendungen
Energiemanagement in tragbaren Geräten
Spannungsregelung in Vorspannungsversorgungskreisen
Schaltregler in Akkuladegerätanwendungen
Treiber für schwere Lasten
Verwandte Links
- STMicroelectronics, Oberfläche MOSFET 1.6 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 300 mA, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics SuperMESH3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 1.8 A, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STN3N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex IntelliFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.8 A 1.6 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.5 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3 A 2.6 W, 4-Pin SOT-223