STMicroelectronics STN3N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 233-3091
- Herst. Teile-Nr.:
- STN3NF06
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*
CHF.800.00
Auf Lager
- Zusätzlich 36’000 Einheit(en) mit Versand ab 19. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 + | CHF.0.20 | CHF.802.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-3091
- Herst. Teile-Nr.:
- STN3NF06
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | STN3N | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.3W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 7 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie STN3N | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.3W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 7 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Power MOSFET ist die neueste Entwicklung des STMicroelectronics einzigartigen "Single Feature Size"-Streifen-Verfahrens. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
Robuste Lawinentechnologie
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Verwandte Links
- STMicroelectronics STN3N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STN Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 200 V / 1 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 400 mA 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 2.4 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.5 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 300 mA, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics SuperMESH3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 1.8 A, 4-Pin SOT-223